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CMH90N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:90A
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- 描述
- CMH90N30采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH90N30
- 商品编号
- C6939724
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.051111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 610W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
CMF65R380是采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些方便用户使用的器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- PFC电源级
- 开关应用