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CMF60N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:60A
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- 描述
- CMF60N20是一款N沟道功率MOSFET。它经过专门设计，可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此，该器件适用于先进的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF60N20
- 商品编号
- C6939718
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@30A | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 338pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 当栅源电压（VGS）为10 V时，最大导通电阻（rDS(on)）为15.5 mΩ
- 当栅源电压（VGS）为4.5 V时，最大导通电阻（rDS(on)）为21 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-电源