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CMF65R380
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- CMF65R380 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低 EMI 的优势，还能降低开关损耗
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R380
- 商品编号
- C6939720
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMF60P06采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 更低的导通电阻
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- DC / DC转换器