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CMH035N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
- 描述
- CMH035N06采用先进的沟槽技术与设计，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这些器件非常适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH035N06
- 商品编号
- C6939722
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.038333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@4.5V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，最大导通电阻（RDS(on)） = 12.5 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V时，最大导通电阻（RDS(on)） = 15.5 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-电源