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CMF80R450P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMF80R450P

1个N沟道 耐压:800V 电流:11A

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描述
CMF80R450P是一款功率MOSFET,采用CMOS先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。
商品型号
CMF80R450P
商品编号
C6939721
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.9195克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)38nC
输入电容(Ciss)2.3nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)990pF

商品概述

CMF80R450P是一款采用CMOS先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。

商品特性

  • 多层外延芯片技术
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 适配器
  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • PFC电源级
  • 开关应用

数据手册PDF