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CMF16N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:16A
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- 描述
- 16N50采用先进的平面条形DMOS技术，可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF16N50
- 商品编号
- C6939716
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN3400ZM采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 25mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 38mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理