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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMF060N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:90A

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描述
采用先进技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)。适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品型号
CMF060N10
商品编号
C6939712
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.202克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39nC
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.25nF

商品概述

50N06KB将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流(DC/DC)转换器
  • 适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF