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CMF11N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术生产。这项最新技术经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF11N60
- 商品编号
- C6939713
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造。这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 原创全新设计
- 100%雪崩测试
- 极低的固有电容
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
- 11A、600V,VGS = 10V时RDS(on) = 0.75Ω
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源
- 无极灯