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CMF150N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- 是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷，适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF150N04
- 商品编号
- C6939715
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制-直流-直流转换器-开关应用