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CME3008
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- CME3008采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CME3008
- 商品编号
- C6939711
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMD603A采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
-可靠耐用-表面贴装封装-低导通电阻-符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关