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CMD80P02B
1个P沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80P02B
- 商品编号
- C6939707
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
3090M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。3090M符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关速度
- 较低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 简单的驱动要求
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 无刷直流电机驱动器