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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMD60P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统)的电源管理
商品型号
CMD60P06
商品编号
C6939705
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3735克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))21mΩ
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)127pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)315pF

商品特性

  • 快速开关速度
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)-适配器和充电器-交流-直流开关电源

数据手册PDF