温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD603A
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CMD603A采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD603A
- 商品编号
- C6939703
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ；55mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V；8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF；400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF；27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF；86pF |
商品概述
458A采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 14A、250V，VGS = 10V时RDS(ON) < 280mΩ
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- PWM电机控制
- LED电视
- DC-DC转换器