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CMD5943
1个P沟道 耐压:100V 电流:20A 停产
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- 描述
- 5943采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5943
- 商品编号
- C6939701
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以实现低导通电阻（RDS(on)），并确保最小的功率损耗和散热。典型应用包括便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）中的DC-DC转换器和电源管理。
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- 直流/直流转换器