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CMD50P03A
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以提供低导通电阻，并确保最小的功率损耗和散热。典型应用包括直流-直流转换器，以及便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD50P03A
- 商品编号
- C6939700
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
5N40A采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 功率因数校正（PFC）