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CMD50N06B
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 50N06B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光领域的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD50N06B
- 商品编号
- C6939697
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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