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CMD50N06KB

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
50N06KB将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。
商品型号
CMD50N06KB
商品编号
C6939698
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.378克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@6V
耗散功率(Pd)80W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)3nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:

  • 背光照明
  • 电源管理功能
  • DC - DC转换器

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流和直流-交流转换器
  • 电机控制
  • 音频放大器
  • 大电流、高速开关
  • 12V和24V系统的初级开关

数据手册PDF