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CMD50N06KB
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 50N06KB将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD50N06KB
- 商品编号
- C6939698
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@6V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 低导通电阻RDS(ON)，确保导通状态损耗降至最低
- 具备出色的栅漏电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积（品质因数FOM）
- 采用适用于DC - DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，有助于缩小终端产品尺寸
- 生产过程中进行100%非钳位感性开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- DMTH8008SFGQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器