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BSS123LT1G-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为100V电压系统设计，额定电流0.2A。适用于低功耗电子设备的电源切换、信号控制等应用，凭借其优越的低导通电阻与快速开关特性，有效提升设备能效并确保稳定运行。
- 商品型号
- BSS123LT1G-HXY
- 商品编号
- C6285754
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMP3056L-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 0.17A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 6Ω
- ESD等级:1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源