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BSN20BKR-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，额定电流0.3A，适用于低至中等功率应用。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、信号切换等场合，实现精准、高效的功率管理与控制。
- 商品型号
- BSN20BKR-HXY
- 商品编号
- C6285759
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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