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IRLR7843TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
- 商品型号
- IRLR7843TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285777
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
- IRLR8726TRPBF-HXY
- IRLR8726TRLPBF-HXY
- DMP4051LK3-13-HXY
- SM4286T9RL-HXY
- C0805C221K5RACTU
- 691311500106
- TMM-134-03-G-D
- TMM-105-06-L-S
- LB1947-E
- TMM-134-03-L-D
- TMM-106-01-G-Q
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- TMM-106-01-G-S-003
- TMM-135-01-G-D-SM
- TMM-106-01-L-D-SM-TR
- TMM-135-01-L-Q
- LB1976-E
- TMM-135-02-S-D
- TMM-106-01-L-S
- TMM-135-04-G-D
- LB2016T101KV