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IRLR7843TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
- 商品型号
- IRLR7843TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285777
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4459采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -5.8A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 55mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET