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IRLR8726TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR8726TRPBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装,具备N沟道特性,额定电压30V,持续电流高达100A,适用于各类高效率电源转换与开关控制场景,性能稳定,节能高效。
商品型号
IRLR8726TRPBF-HXY
商品编号
C6285778
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4576克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)53W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.295nF@15V
反向传输电容(Crss)210pF@15V
工作温度-55℃~+175℃
配置-

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.2

    购买数量

    (2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个2500个/圆盘

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