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SM4286T9RL-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SM4286T9RL-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:20A

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描述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备100V高耐压及20A连续电流处理能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供低损耗、高效能的开关控制功能。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SM4286T9RL-HXY
商品编号
C6285781
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.45912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)34.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)26.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.535nF@15V
反向传输电容(Crss)37pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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