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SM4286T9RL-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备100V高耐压及20A连续电流处理能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供低损耗、高效能的开关控制功能。
- 商品型号
- SM4286T9RL-HXY
- 商品编号
- C6285781
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 100V,ID = 20A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 87 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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