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DMG1012T-7-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V工作电压和0.8A电流承载能力，专为低功耗、高集成度的电子设备设计，实现高效电源管理与精确开关控制。
- 商品型号
- DMG1012T-7-HXY
- 商品编号
- C6285762
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
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