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IRFR024NTRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供强大的30A电流处理能力。适用于各类中高压开关应用场合的消费电子产品，具备高效能、低导通电阻和卓越的系统稳定性，是电源转换与负载驱动的理想之选。
- 商品型号
- IRFR024NTRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285776
- 商品封装
- TO252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFR120NTRPBF采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 12 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 120 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流