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AOD407-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET封装为TO-252-2L，工作电压高达60V，可稳定处理10A电流。专为中高压环境下消费电子设备的电源管理设计，以实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 商品型号
- AOD407-HXY
- 商品编号
- C6285772
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 小封装（UMT3）
- 低电压驱动（2.5V驱动）
应用领域
- 开关