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IRFR5305TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR5305TRPBF-HXY

1个P沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品,实现卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
商品型号
IRFR5305TRPBF-HXY
商品编号
C6285774
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))64mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)2.46nF
反向传输电容(Crss)155pF
工作温度-55℃~+175℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)220pF

数据手册PDF