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AON7264E-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压60V，连续电流高达40A，适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，实现空间节省与高效能的完美结合。
- 商品型号
- AON7264E-HXY
- 商品编号
- C6285769
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON7264E 采用了先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且可以在低至 4.5V 的栅极电压下正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏极 - 源极电压（VDS）：60 伏，漏极电流（ID）：40 安培
- 截止时的电阻（RDS(ON)）：在栅极 - 漏极电压（VGS）为 10 伏时小于 15 微欧姆
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源