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AOD409-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计，广泛应用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
- 商品型号
- AOD409-HXY
- 商品编号
- C6285771
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |