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AO4421-HXY实物图
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AO4421-HXY

1个P沟道 耐压:60V 电流:6A

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描述
该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,专为60V电压应用设计,提供高达6A的连续电流承载能力。器件具备低导通电阻和优良开关性能,适用于电池保护、电源切换及高效能电子设备的功率控制,确保系统稳定运作与高效节能。
商品型号
AO4421-HXY
商品编号
C6285765
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169867克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))53mΩ@10V,6.2A
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)22.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.417nF@30V
反向传输电容(Crss)120pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.8

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