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AO4421-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:6A
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- 描述
- 该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为60V电压应用设计，提供高达6A的连续电流承载能力。器件具备低导通电阻和优良开关性能，适用于电池保护、电源切换及高效能电子设备的功率控制，确保系统稳定运作与高效节能。
- 商品型号
- AO4421-HXY
- 商品编号
- C6285765
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 179pF |