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DMN26D0UFB4-7-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- 本产品是一款N型场效应管，具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。其内阻典型值为220毫欧姆，适用于低功耗电路设计。VGS为10V，确保稳定的开关控制。适用于多种电子设备，提升电源效率和系统稳定性。
- 商品型号
- DMN26D0UFB4-7-HXY
- 商品编号
- C6285768
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 43.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.8pF |
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