温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFR120NTRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为100V电压环境设计，具备高达12A的连续电流承载能力。广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和良好散热特性，是现代电子设备中实现高效功率控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRFR120NTRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285775
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMG1012T-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 0.8A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 250 mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT-523
- N沟道MOSFET