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IRFR120NTRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为100V电压环境设计，具备高达12A的连续电流承载能力。广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和良好散热特性，是现代电子设备中实现高效功率控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRFR120NTRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285775
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF |
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