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AO4459-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为低电压、高效率应用设计。额定电压30V，连续电流高达5A，适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 商品型号
- AO4459-HXY
- 商品编号
- C6285767
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFR5305TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -20 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 72 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理