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IRF7341TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7341TRPBF-HXY

2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A

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描述
高效能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,适用于60V电压环境,具备6.5A强劲连续电流处理能力。特别适合于消费级电子产品中的电源转换、负载开关及逆变器应用,其出色的低导通电阻与高速切换性能,确保系统稳定运作并优化能源效率。
商品型号
IRF7341TRPBF-HXY
商品编号
C6285763
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.176667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.92nF@25V
反向传输电容(Crss)116pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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