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IRF7341TRPBF-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于60V电压环境，具备6.5A强劲连续电流处理能力。特别适合于消费级电子产品中的电源转换、负载开关及逆变器应用，其出色的低导通电阻与高速切换性能，确保系统稳定运作并优化能源效率。
- 商品型号
- IRF7341TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285763
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
BSN20BKR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 0.3 A
- RDS(ON) < 2 Ω @ VGS = 10 V
- 静电放电等级：人体模型（HBM）≥ 2000 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源