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IRLML0100TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压100V，支持3A连续电流，适用于电池保护、电源转换等应用。具备低导通电阻与高速开关性能，是现代电子产品中实现高效能功率控制的理想选择。
- 商品型号
- IRLML0100TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285761
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
IRLML0100TRBF采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 3A
- RDS(ON) < 248mΩ(VGS = 10V时)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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