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IRLML0100TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML0100TRPBF-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A

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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压100V,支持3A连续电流,适用于电池保护、电源转换等应用。具备低导通电阻与高速开关性能,是现代电子产品中实现高效能功率控制的理想选择。
商品型号
IRLML0100TRPBF-HXY
商品编号
C6285761
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033633克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)13.6nC@10V
输入电容(Ciss)711pF@15V
反向传输电容(Crss)23pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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    (3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
    起订量:20 个3000个/圆盘

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