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RK7002BMT116-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，耐压高达60V，额定电流0.3A。适用于电池保护、低功率开关等应用，具备卓越的低导通电阻和快速切换性能，是现代电子设备实现高效能功率控制的理想之选。
- 商品型号
- RK7002BMT116-HXY
- 商品编号
- C6285760
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSS138NH6327采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50 V
- ID = 0.22 A
- RDS(ON) < 2.0 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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