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BSS138NH6327-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS138NH6327-HXY

1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A

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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,耐压高达50V,额定电流为0.2A。适合于电池保护、信号切换等低电流应用场合,具备低导通电阻和快速开关性能,是电子设备中实现精细功率控制的理想选择。
商品型号
BSS138NH6327-HXY
商品编号
C6285757
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036533克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)220mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)27pF@25V
反向传输电容(Crss)6pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NX7002AK采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 0.3A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 2Ω
  • 静电放电等级:人体模型(HBM)≥ 2000 V

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF