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BSS169H6327-HXY实物图
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BSS169H6327-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,额定电压高达100V,适用于低至0.2A电流的精细控制应用。专为电池保护、信号切换和高效能电子设备设计,具有卓越的开关性能与低导通电阻,是微功率系统中理想的半导体组件选择。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    BSS169H6327-HXY
  • 商品编号

    C6285753
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.032933克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,0.17A
属性参数值
功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)30pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)7pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

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