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BSS169H6327-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压高达100V，适用于低至0.2A电流的精细控制应用。专为电池保护、信号切换和高效能电子设备设计，具有卓越的开关性能与低导通电阻，是微功率系统中理想的半导体组件选择。
- 商品型号
- BSS169H6327-HXY
- 商品编号
- C6285753
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
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