温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS84PH6327-HXY
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能，特别适合于电池保护、信号切换等低功耗应用场景，实现精准可靠的功率控制功能。
- 商品型号
- BSS84PH6327-HXY
- 商品编号
- C6285752
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSS84PH6327采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -50V，漏极电流（ID） = -0.13A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5Ω
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6Ω
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET