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BSS138LT1G-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS138LT1G-HXY

N沟道 50V 220mA

描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装,专为50V电压系统设计,额定电流0.2A。具有低导通电阻和快速开关性能,尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗应用,提供精准高效的功率控制解决方案。
商品型号
BSS138LT1G-HXY
商品编号
C6285755
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036433克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)220mA
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Ciss)27pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)13pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF

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