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BSS138K-HXY
1个N沟道 耐压:50V 电流:220mA
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为50V电压系统设计，提供精细的0.2A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、智能设备及各类小电流电子应用中，实现高效且精确的功率管理。
- 商品型号
- BSS138K-HXY
- 商品编号
- C6285756
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMO4065S-7采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 40V，漏极电流ID = - 5A
- 在栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
- 在栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 120mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直流-直流转换器
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