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NX7002AK-HXY
1个N沟道
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- 描述
- 这款N型场效应管具有0.3A的电流处理能力和60V的电压承受能力。其内阻典型值为1000mΩ，VGS为20V。适用于需要低功耗和高效率的电子系统，如电源管理、信号放大和数据转换等应用。
- 商品型号
- NX7002AK-HXY
- 商品编号
- C6285758
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,0.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSS169H6327采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 0.17A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6Ω
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）1500V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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