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DMP4065S-7-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，具备5A强大电流承载力。具有低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。
- 商品型号
- DMP4065S-7-HXY
- 商品编号
- C6285747
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
IRLML0040TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 5A
- VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 52mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源