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BSS84LT1G-HXY
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压50V，适用于低电流应用场合，提供0.1A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适合电池保护、智能设备中的精细功率控制需求。
- 商品型号
- BSS84LT1G-HXY
- 商品编号
- C6285750
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |