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BSS84LT1G-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS84LT1G-HXY

1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A

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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压50V,适用于低电流应用场合,提供0.1A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性,尤其适合电池保护、智能设备中的精细功率控制需求。
商品型号
BSS84LT1G-HXY
商品编号
C6285750
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)3.5pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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