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DMG3415UQ-7-HXY实物图
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DMG3415UQ-7-HXY

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:18V 电流:6.5A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为18V电压系统打造,具备7A强大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等场合,实现高效、可靠的功率控制。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    DMG3415UQ-7-HXY
  • 商品编号

    C6285748
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.033933克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)18V
连续漏极电流(Id)6.5A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,4.1A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V

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