DMG3415UQ-7-HXY
1个P沟道 耐压:18V 电流:6.5A
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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为18V电压系统打造,具备7A强大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等场合,实现高效、可靠的功率控制。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMG3415UQ-7-HXY商品编号
C6285748商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.033933克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 18V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,4.1A | |
功率(Pd) | 2W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V |
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