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DMG3415UQ-7-HXY
1个P沟道 耐压:18V 电流:6.5A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为18V电压系统打造，具备7A强大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场合，实现高效、可靠的功率控制。
- 商品型号
- DMG3415UQ-7-HXY
- 商品编号
- C6285748
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,4.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SSM3J328R采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -6.5A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源