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BSS83PH6327-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS83PH6327-HXY

1个P沟道 耐压:60V 电流:2A

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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,额定电压60V,提供2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性,适用于充电器、电源转换等场合,为电子设备带来高效、稳定的功率控制解决方案。
商品型号
BSS83PH6327-HXY
商品编号
C6285744
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.037967克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.4nC@10V
输入电容(Ciss)310pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)22pF

数据手册PDF