温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLML0060TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管支持最大3A的连续电流和60V的工作电压，适用于多种电子设备中的开关及放大功能。其典型内阻为72毫欧姆，有助于减少功耗并提高效率。该器件的栅源电压VGS可达20V，确保了良好的驱动能力和稳定性。它适合用于电源管理、信号处理以及需要高效能半导体解决方案的消费电子产品中。
- 商品型号
- IRLML0060TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285745
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0341克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
DMP3099L-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -4.2A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源