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SSM3J332R-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款场效应管元器件具有4.2A的电流承载能力，30V的工作电压，以及45mR的典型内阻。其VGS为12V，属于P型场效应管。适用于多种电子设备中，旨在提供稳定的电流控制和高效能转换，确保电路运行的可靠性和效率。
- 商品型号
- SSM3J332R-HXY
- 商品编号
- C6285743
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML0030TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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