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DMP3099L-7-HXY实物图
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DMP3099L-7-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A

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描述
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达4.2A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效能与稳定可靠的功率控制功能。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMP3099L-7-HXY
商品编号
C6285742
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036433克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)8.5nC@15V
输入电容(Ciss)880pF@15V
反向传输电容(Crss)65pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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