SI4866DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:12V 电流:11A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4866DY-T1-E3
- 商品编号
- C5917685
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器
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