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FQA70N15
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 70 A、100 V，RDS(on) = 28 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 35 A
- 低栅极电荷（典型值135 nC）
- 低Crss（典型值135 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用